Модулі пам'яті до ноутбуків

ВиробникSamsung МодельSoDIMM DDR5 32GB 4800 MHz АртикулM323R4GA3BB0-CQK Тип пам'ятіDDR5 Об'єм пам'яті32 ГБ Кількість модулів у наборі1 Стандарти пам'ятіPC5-38400 Частота пам'яті4800 МГц ТаймінгиCL40 Напруга живлення1.1 В Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Буферизаціяunbuffered Охолодженняне

(Збірка) Висота модуля пам'ятістандарт (Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулM323R4GA3DB0-CWM Буферизаціяunbuffered ВиробникSamsung Гарантія, міс36 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR5 32GB 5600 MHz Напруга живлення1.1 В Об'єм пам'яті32 ГБ Охолодженнянемає Пере

МодельDDR4 4GB 2400 MHz АртикулPSD44G240082S ВиробникPatriot Країна виробництваТайвань Гарантія, міс60 Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC4-19200 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті2400 МГц ТаймінгиCL17 Напруга живлення1.2 В ПриміткаПоставка товару можлива в ОЕМ-версії. Т

МодельSoDIMM DDR2 2GB 800 MHz АртикулGM800D2S6/2G ВиробникGolden Memory Країна виробництваСША Гарантія, міс36 Тип пам'ятіDDR2 Об'єм пам'яті2 ГБ Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті800 МГц ТаймінгиCL6 Напруга живлення1.8 В ПриміткаПоставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поста

ВиробникHynix МодельSoDIMM DDR2 2GB 800 MHz АртикулHYMP125S64CP8-S6 Тип пам'ятіDDR2 Об'єм пам'яті2 ГБ Кількість модулів у наборі1 Стандарти пам'ятіPC2-6400 Частота пам'яті800 МГц ТаймінгиCL6 Напруга живлення1.8 В Форм-фактор пам'яті200-pin SO-DIMM Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Буфериза

(Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулGM800D2S6/4 ВиробникGolden Memory Гарантія, міс36 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваКитай МодельSoDIMM DDR2 4GB 800MHz Напруга живлення1.8 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає ПриміткаПоставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може постав

(Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулGM16S11/2 Буферизаціяunbuffered ВиробникGolden Memory Гарантія, міс36 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваКитай МодельSoDIMM DDR3 2GB 1600 MHz Напруга живлення1.5 В Об'єм пам'яті2 ГБ Охолодженнянемає Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Приміт

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz АртикулE30802S ВиробникeXceleram Країна виробництваТайвань Гарантія, міс120 Тип пам'ятіDDR3 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC3-10666 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті1333 МГц ТаймінгиCL9 Напруга живлення1.5 В Форм-фактор пам'яті204-pin SO-DIMM Перевірка

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz АртикулGR1333S364L9S/4G ВиробникGoodram Країна виробництваПольща Гарантія, міс60 Тип пам'ятіDDR3 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC3-10600 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті1333 МГц ТаймінгиCL9 Напруга живлення1.5 В Форм-фактор пам'яті204-pin SO-DIMM Пере

(Збірка) Висота модуля пам'ятістандарт (Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулIS3ABA1/4 Буферизаціяunbuffered ВиробникINTELIGENTES Гарантія, міс36 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваКитай МодельSoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz Напруга живлення1.5 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевірка

(Збірка) Висота модуля пам'ятістандарт (Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулDT4G3DSDLD16 Буферизаціяunbuffered ВиробникDato Гарантія, міс24 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Напруга живлення1.35 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевірка і

(Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулE30170A Буферизаціяunbuffered ВиробникeXceleram Гарантія120 місяців Гарантія, міс120 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Напруга живлення1.5 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевірка і корекція помилок (E

(Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулGM16S11/4 Буферизаціяunbuffered ВиробникGolden Memory Гарантія, міс36 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Напруга живлення1.5 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Прим

МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулGR1600S364L11S/4G ВиробникGoodram Країна виробництваТайвань Гарантія, міс60 Тип пам'ятіDDR3 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC3-12800 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті1600 МГц ТаймінгиCL11 Напруга живлення1.5 В Форм-фактор пам'яті204-pin SO-DIMM П

ВиробникHynix МодельSoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz АртикулHMT351S6CFR8C-PB Тип пам'ятіDDR3 Об'єм пам'яті4 ГБ Кількість модулів у наборі1 Стандарти пам'ятіPC3-12800 Частота пам'яті1600 МГц ТаймінгиCL11 Напруга живлення1.5 В Форм-фактор пам'яті204-pin SO-DIMM Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Буфе