Модулі пам'яті до ноутбуків

АртикулM471A4G43BB1-CWE ВиробникSamsung Гарантія, міс24 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR4 32GB 3200 MHz

ВиробникWibrand МодельSoDIMM DDR4 32GB 3200 MHz АртикулWI3200DDR4S/32GB Країна виробництваТайвань Гарантія, міс36

ВиробникKingston МодельSoDIMM DDR4 32GB АртикулKVR32S22D8/32 Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті32 ГБ Кількість модулів у наборі1 Стандарти пам'ятіPC4-25600 Частота пам'яті3200 МГц ТаймінгиCL22 Напруга живлення1.2 В Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Буферизаціяunbuffered Охолодженнянемає (Збірка

(Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулE404247S Буферизаціяunbuffered ВиробникeXceleram Гарантія120 місяців Гарантія, міс120 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR4 4GB 2400 MHz Напруга живлення1.2 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевірка і корекція помилок (

(Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулGR2400S464L17S/4G Буферизаціяunbuffered ВиробникGoodram Гарантія, міс60 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваСША МодельSoDIMM DDR4 4GB 2400 MHz Напруга живлення1.2 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Приміт

МодельSoDIMM DDR4 4GB 2400 MHz АртикулIS4BHC1/4 ВиробникINTELIGENTES Країна виробництваКитай Гарантія, міс36 Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC4-19200 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті2400 МГц ТаймінгиCL17-17-17 Напруга живлення1.2 В Перевірка і корекція помилок (ECC)n

МодельSoDIMM DDR4 4GB 2400 MHz АртикулM471A5244CB0-CRC ВиробникSamsung Країна виробництваТайвань Гарантія, міс36 Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC4-19200 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті2400 МГц ТаймінгиCL17 Напруга живлення1.2 В Форм-фактор пам'яті260-pin SO-DIMM Пр

(Збірка) Висота модуля пам'ятістандарт (Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулE404269S Буферизаціяunbuffered ВиробникeXceleram Гарантія120 місяців Гарантія, міс120 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz Напруга живлення1.2 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодже

МодельSoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz АртикулGR2666S464L19S/4G ВиробникGoodram Країна виробництваТайвань Гарантія, міс60 Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC4-21300 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті2666 МГц ТаймінгиCL19 Напруга живлення1.2 В Перевірка і корекція помилок (ECC)no

МодельSoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz АртикулIS4CHD1/4 ВиробникINTELIGENTES Країна виробництваКитай Гарантія, міс36 Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC4-21300 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті2666 МГц ТаймінгиCL19-19-19 Напруга живлення1.2 В Перевірка і корекція помилок (ECC)n

ВиробникSilicon Power МодельSoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz АртикулSP004GBSFU266X02 Країна виробництваТайвань Гарантія, міс36

ВиробникeXceleram МодельSoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz АртикулE404322S Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті4 ГБ Кількість модулів у наборі1 Стандарти пам'ятіPC4-25600 Частота пам'яті3200 МГц ТаймінгиCL22-22-22 Напруга живлення1.2 В Форм-фактор пам'яті260-pin SO-DIMM Перевірка і корекція помилок (ECC)non-ECC Бу

МодельSoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz АртикулIS4DHE1/4 ВиробникINTELIGENTES Країна виробництваКитай Гарантія, міс36 Тип пам'ятіDDR4 Об'єм пам'яті4 ГБ Стандарти пам'ятіPC4-25600 Кількість модулів у наборі1 Частота пам'яті3200 МГц ТаймінгиCL22-22-22 Напруга живлення1.2 В Перевірка і корекція помилок (ECC)n

(Збірка) Висота модуля пам'ятістандарт (Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулM471A5244CB0-CWE Буферизаціяunbuffered ВиробникSamsung Гарантія, міс6 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz Напруга живлення1.2 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевір

(Збірка) Висота модуля пам'ятістандарт (Збірка) Споживча потужність5 Вт АртикулJM3200HSH-4G Буферизаціяunbuffered ВиробникTranscend Гарантія, міс60 Кількість модулів у наборі1 Країна виробництваТайвань МодельSoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz Напруга живлення1.2 В Об'єм пам'яті4 ГБ Охолодженнянемає Перевірк